Informação básica sobre o desempenho e resultados de referência do modelo PNY Electronics 4GBH2X02F9B927-165 4GB. Os testes dos módulos de memória DDR3, DDR4 e DDR5 utilizam processadores Intel e AMD. Os testes reais reflectem o desempenho do módulo de memória em relação a módulos do mesmo tipo.
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RAM PNY Electronics 4GBH2X02F9B927-165 4GB - Testes e especificações
- Outro nome: PNY Electronics 4GBH2X02F9B927-165
- Descrição: PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
- Tipo de RAM: DDR3
- Média: 2600
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Informação geral
Descrição: Especificações de desempenho do módulo de memória: Latência (ns), Ler sem cache (GB/s), Escrever (GB/s). Informação sobre preços.
Especificações da RAM
| Latência: | 23 ns | Read Uncached: | 14.7 GB/s | |||
| Write: | 9.8 GB/s | Price: | NA | |||
Latência
Latência - o tempo que leva o módulo RAM a aceder a um conjunto particular de dados numa das colunas e a emitir esses dados para as suas saídas.
Ler Velocidade de Transferência Não Atingida
RAM ler índice de desempenho
14.4 GB/s
14.4 GB/s
14.5 GB/s
15.5 GB/s
14.7 GB/s
14.5 GB/s
11.9 GB/s
16.4 GB/s
Velocidade de transferência de escrita
RAM índice de desempenho de escrita
8.8 GB/s
8.8 GB/s
9.1 GB/s
10.1 GB/s
9.2 GB/s
8.1 GB/s
11.4 GB/s
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Visão geral PNY Electronics 4GBH2X02F9B927-165 4GB
PNY Electronics 4GBH2X02F9B927-165 4GB
VS
con otras RAMs