モデルの性能とベンチマーク結果に関する基本情報 Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB. 実際のテストでは、同タイプのモジュールとの比較において、メモリモジュールの性能が反映されます。 DDR3、DDR4、DDR5メモリーモジュールのテストでは、IntelとAMDのプロセッサーを使用しています。
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解説
RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB - テストと仕様
- その他の名称 Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK
- 説明 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
- RAMタイプ DDR4
- 平均値 2374
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一般情報
説明 メモリモジュールの性能仕様。レイテンシー(ns)、リード・アンキャッシュ(GB/s)、ライト(GB/s)。価格情報。
RAMの仕様
| レイテンシー: | 30 ns | Read Uncached: | 14.5 GB/s | |||
| Write: | 9.0 GB/s | Price: | NA | |||
レイテンシー
レイテンシー - RAMモジュールが列の1つにある特定のデータセットにアクセスし、そのデータを出力するのにかかる時間です。
リード・アンキャッシュ転送速度
RAMの読み出し性能指数
17.9 GB/s
18.3 GB/s
13.8 GB/s
16.1 GB/s
18.2 GB/s
18.5 GB/s
13.9 GB/s
16.1 GB/s
16.8 GB/s
書き込み転送速度
RAM書込み性能指数
13.8 GB/s
14.5 GB/s
10.1 GB/s
11.7 GB/s
14.6 GB/s
14.4 GB/s
9.9 GB/s
13.0 GB/s
12.8 GB/s
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概要 Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
VS
他のRAMと