Informazioni di base sulle prestazioni e sui risultati dei benchmark del modello Micron Technology 8HTF6464AY-667B8 512MB. I test attuali riflettono le prestazioni del modulo di memoria in relazione ai moduli dello stesso tipo. I test dei moduli di memoria DDR3, DDR4 e DDR5 utilizzano processori Intel e AMD.
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RAM Micron Technology 8HTF6464AY-667B8 512MB - Test e specifiche
- Altro nome: Micron Technology 8HTF6464AY-667B8
- Descrizione: PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
- Tipo di RAM: DDR2
- Media: 426
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Informazioni generali
Descrizione: Specifiche delle prestazioni del modulo di memoria: Latenza (ns), Lettura non memorizzata (GB/s), Scrittura (GB/s). Informazioni sul prezzo.
Specifiche della RAM
| Latenza: | 39 ns | Read Uncached: | 3,897.7 GB/s | |||
| Write: | 1,953.6 GB/s | Price: | NA | |||
Latenza
Latenza - il tempo necessario al modulo RAM per accedere a un particolare insieme di dati in una delle colonne ed emettere tali dati sulle sue uscite.
Velocità di trasferimento in lettura non memorizzata
Indice delle prestazioni di lettura della RAM
5.4 GB/s
5.5 GB/s
4.5 GB/s
4.6 GB/s
4.3 GB/s
Velocità di trasferimento in scrittura
Indice delle prestazioni di scrittura della RAM
2.6 GB/s
2.5 GB/s
1.9 GB/s
2.1 GB/s
1.9 GB/s
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Hitesti valutazione
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Panoramica Micron Technology 8HTF6464AY-667B8 512MB
Micron Technology 8HTF6464AY-667B8 512MB
VS
con altre RAM