RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6NFR8C-S6 2GB - Test e specifiche

Informazioni di base sulle prestazioni e sui risultati dei benchmark del modello Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6NFR8C-S6 2GB. I test attuali riflettono le prestazioni del modulo di memoria in relazione ai moduli dello stesso tipo. I test dei moduli di memoria DDR3, DDR4 e DDR5 utilizzano processori Intel e AMD.

  • Altro nome: Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6NFR8C-S6
  • Descrizione: PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Tipo di RAM: DDR2
  • Media: 503

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Informazioni generali

Descrizione: Specifiche delle prestazioni del modulo di memoria: Latenza (ns), Lettura non memorizzata (GB/s), Scrittura (GB/s). Informazioni sul prezzo.

Specifiche della RAM

Latenza: 56 ns   Read Uncached: 3,951.2 GB/s
Write: 1,446.3 GB/s   Price: NA
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Panoramica Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6NFR8C-S6 2GB
 
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6NFR8C-S6 2GB
VS
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