Información básica sobre el rendimiento y los resultados del benchmark del modelo Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB. Las pruebas reales reflejan el rendimiento del módulo de memoria en relación con los módulos del mismo tipo. Las pruebas de los módulos de memoria DDR3, DDR4 y DDR5 utilizan procesadores Intel y AMD.
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RAM Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB - Pruebas y especificaciones
- Otro nombre: Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E
- Descripción: PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
- Tipo de memoria RAM: DDR4
- Media: 2852
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Información general
Descripción: Especificaciones de rendimiento del módulo de memoria: Latencia (ns), Lectura sin caché (GB/s), Escritura (GB/s). Información sobre el precio.
Especificaciones de la memoria RAM
| Latencia: | 24 ns | Read Uncached: | 15.6 GB/s | |||
| Write: | 12.1 GB/s | Price: | NA | |||
Latencia
Latencia: el tiempo que tarda el módulo de memoria RAM en acceder a un determinado conjunto de datos en una de las columnas y emitir esos datos a sus salidas.
Velocidad de transferencia de lectura sin caché
Índice de rendimiento de lectura de la RAM
17.9 GB/s
18.3 GB/s
13.8 GB/s
16.1 GB/s
18.2 GB/s
18.5 GB/s
13.9 GB/s
16.1 GB/s
16.8 GB/s
Velocidad de transferencia de escritura
Índice de rendimiento de escritura de la RAM
13.8 GB/s
14.5 GB/s
10.1 GB/s
11.7 GB/s
14.6 GB/s
14.4 GB/s
9.9 GB/s
13.0 GB/s
12.8 GB/s
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Resumen Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
VS
con otros RAMs