RAM Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB - Pruebas y especificaciones

Información básica sobre el rendimiento y los resultados del benchmark del modelo Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB. Las pruebas reales reflejan el rendimiento del módulo de memoria en relación con los módulos del mismo tipo. Las pruebas de los módulos de memoria DDR3, DDR4 y DDR5 utilizan procesadores Intel y AMD.

  • Otro nombre: Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6
  • Descripción: PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tipo de memoria RAM: DDR4
  • Media: 1897

Compre aquí:

Información general

Descripción: Especificaciones de rendimiento del módulo de memoria: Latencia (ns), Lectura sin caché (GB/s), Escritura (GB/s). Información sobre el precio.

Especificaciones de la memoria RAM

Latencia: 32 ns   Read Uncached: 16.0 GB/s
Write: 13.4 GB/s   Price: NA
0.0 Desde 0 Hitesti evaluación
Añadir revisión para Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB

Resumen Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
 
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
VS
up_down img con otros RAMs