Información básica sobre el rendimiento y los resultados del benchmark del modelo Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB. Las pruebas reales reflejan el rendimiento del módulo de memoria en relación con los módulos del mismo tipo. Las pruebas de los módulos de memoria DDR3, DDR4 y DDR5 utilizan procesadores Intel y AMD.
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RAM Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB - Pruebas y especificaciones
- Otro nombre: Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD
- Descripción: PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
- Tipo de memoria RAM: DDR5
- Media: 3419
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Información general
Descripción: Especificaciones de rendimiento del módulo de memoria: Latencia (ns), Lectura sin caché (GB/s), Escritura (GB/s). Información sobre el precio.
Especificaciones de la memoria RAM
| Latencia: | 25 ns | Read Uncached: | 13.4 GB/s | |||
| Write: | 12.1 GB/s | Price: | NA | |||
Latencia
Latencia: el tiempo que tarda el módulo de memoria RAM en acceder a un determinado conjunto de datos en una de las columnas y emitir esos datos a sus salidas.
Velocidad de transferencia de lectura sin caché
Índice de rendimiento de lectura de la RAM
15.5 GB/s
15.7 GB/s
15.2 GB/s
14.4 GB/s
14.4 GB/s
14.0 GB/s
14.8 GB/s
14.9 GB/s
13.4 GB/s
Velocidad de transferencia de escritura
Índice de rendimiento de escritura de la RAM
13.2 GB/s
13.9 GB/s
13.5 GB/s
13.0 GB/s
12.8 GB/s
12.3 GB/s
12.8 GB/s
13.0 GB/s
12.1 GB/s
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Resumen Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
VS
con otros RAMs