Información básica sobre el rendimiento y los resultados del benchmark del modelo Micron Technology AFSD416ES1P 16GB. Las pruebas reales reflejan el rendimiento del módulo de memoria en relación con los módulos del mismo tipo. Las pruebas de los módulos de memoria DDR3, DDR4 y DDR5 utilizan procesadores Intel y AMD.
0
comentario
RAM Micron Technology AFSD416ES1P 16GB - Pruebas y especificaciones
- Otro nombre: Micron Technology AFSD416ES1P
- Descripción: PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
- Tipo de memoria RAM: DDR4
- Media: 2620
Compre aquí:
AliExpress
Información general
Descripción: Especificaciones de rendimiento del módulo de memoria: Latencia (ns), Lectura sin caché (GB/s), Escritura (GB/s). Información sobre el precio.
Especificaciones de la memoria RAM
| Latencia: | 25 ns | Read Uncached: | 14.5 GB/s | |||
| Write: | 10.7 GB/s | Price: | NA | |||
Latencia
Latencia: el tiempo que tarda el módulo de memoria RAM en acceder a un determinado conjunto de datos en una de las columnas y emitir esos datos a sus salidas.
Velocidad de transferencia de lectura sin caché
Índice de rendimiento de lectura de la RAM
17.9 GB/s
18.3 GB/s
13.8 GB/s
16.1 GB/s
18.2 GB/s
18.5 GB/s
13.9 GB/s
16.1 GB/s
16.8 GB/s
14.5 GB/s
Velocidad de transferencia de escritura
Índice de rendimiento de escritura de la RAM
13.8 GB/s
14.5 GB/s
10.1 GB/s
11.7 GB/s
14.6 GB/s
14.4 GB/s
9.9 GB/s
13.0 GB/s
12.8 GB/s
10.7 GB/s
0.0
Desde 0
Hitesti evaluación
Para dejar una reseña es necesario login
Resumen Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
VS
con otros RAMs