Información básica sobre el rendimiento y los resultados del benchmark del modelo Micron Technology 8HTF6464AY-53EB9 512MB. Las pruebas reales reflejan el rendimiento del módulo de memoria en relación con los módulos del mismo tipo. Las pruebas de los módulos de memoria DDR3, DDR4 y DDR5 utilizan procesadores Intel y AMD.
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RAM Micron Technology 8HTF6464AY-53EB9 512MB - Pruebas y especificaciones
- Otro nombre: Micron Technology 8HTF6464AY-53EB9
- Descripción: PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4
- Tipo de memoria RAM: DDR2
- Media: 476
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Información general
Descripción: Especificaciones de rendimiento del módulo de memoria: Latencia (ns), Lectura sin caché (GB/s), Escritura (GB/s). Información sobre el precio.
Especificaciones de la memoria RAM
| Latencia: | 40 ns | Read Uncached: | 3,873.3 GB/s | |||
| Write: | 1,956.2 GB/s | Price: | NA | |||
Latencia
Latencia: el tiempo que tarda el módulo de memoria RAM en acceder a un determinado conjunto de datos en una de las columnas y emitir esos datos a sus salidas.
Velocidad de transferencia de lectura sin caché
Índice de rendimiento de lectura de la RAM
5.4 GB/s
5.5 GB/s
4.5 GB/s
4.6 GB/s
4.3 GB/s
Velocidad de transferencia de escritura
Índice de rendimiento de escritura de la RAM
2.6 GB/s
2.5 GB/s
1.9 GB/s
2.1 GB/s
1.9 GB/s
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Resumen Micron Technology 8HTF6464AY-53EB9 512MB
Micron Technology 8HTF6464AY-53EB9 512MB
VS
con otros RAMs