Información básica sobre el rendimiento y los resultados del benchmark del modelo Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CR8-S6 2GB. Las pruebas reales reflejan el rendimiento del módulo de memoria en relación con los módulos del mismo tipo. Las pruebas de los módulos de memoria DDR3, DDR4 y DDR5 utilizan procesadores Intel y AMD.
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RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CR8-S6 2GB - Pruebas y especificaciones
- Otro nombre: Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CR8-S6
- Descripción: PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
- Tipo de memoria RAM: DDR2
- Media: 588
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Información general
Descripción: Especificaciones de rendimiento del módulo de memoria: Latencia (ns), Lectura sin caché (GB/s), Escritura (GB/s). Información sobre el precio.
Especificaciones de la memoria RAM
| Latencia: | 60 ns | Read Uncached: | 3,947.1 GB/s | |||
| Write: | 1,672.4 GB/s | Price: | NA | |||
Latencia
Latencia: el tiempo que tarda el módulo de memoria RAM en acceder a un determinado conjunto de datos en una de las columnas y emitir esos datos a sus salidas.
Velocidad de transferencia de lectura sin caché
Índice de rendimiento de lectura de la RAM
5.4 GB/s
5.5 GB/s
4.5 GB/s
4.6 GB/s
4.3 GB/s
Velocidad de transferencia de escritura
Índice de rendimiento de escritura de la RAM
2.6 GB/s
2.5 GB/s
1.9 GB/s
2.1 GB/s
1.9 GB/s
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Resumen Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CR8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CR8-S6 2GB
VS
con otros RAMs