RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125R72AP4-E3 2GB - Pruebas y especificaciones

Información básica sobre el rendimiento y los resultados del benchmark del modelo Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125R72AP4-E3 2GB. Las pruebas reales reflejan el rendimiento del módulo de memoria en relación con los módulos del mismo tipo. Las pruebas de los módulos de memoria DDR3, DDR4 y DDR5 utilizan procesadores Intel y AMD.

  • Otro nombre: Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125R72AP4-E3
  • Descripción: PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Tipo de memoria RAM: DDR2
  • Media: 446

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Información general

Descripción: Especificaciones de rendimiento del módulo de memoria: Latencia (ns), Lectura sin caché (GB/s), Escritura (GB/s). Información sobre el precio.

Especificaciones de la memoria RAM

Latencia: 53 ns   Read Uncached: 2,714.3 GB/s
Write: 1,069.3 GB/s   Price: NA
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Resumen Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125R72AP4-E3 2GB
 
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125R72AP4-E3 2GB
VS
up_down img con otros RAMs