Información básica sobre el rendimiento y los resultados del benchmark del modelo Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6EFR8C-PB 2GB. Las pruebas reales reflejan el rendimiento del módulo de memoria en relación con los módulos del mismo tipo. Las pruebas de los módulos de memoria DDR3, DDR4 y DDR5 utilizan procesadores Intel y AMD.
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RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6EFR8C-PB 2GB - Pruebas y especificaciones
- Otro nombre: Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6EFR8C-PB
- Descripción: PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
- Tipo de memoria RAM: DDR3
- Media: 2056
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Información general
Descripción: Especificaciones de rendimiento del módulo de memoria: Latencia (ns), Lectura sin caché (GB/s), Escritura (GB/s). Información sobre el precio.
Especificaciones de la memoria RAM
| Latencia: | 32 ns | Read Uncached: | 12.4 GB/s | |||
| Write: | 8.9 GB/s | Price: | NA | |||
Latencia
Latencia: el tiempo que tarda el módulo de memoria RAM en acceder a un determinado conjunto de datos en una de las columnas y emitir esos datos a sus salidas.
Velocidad de transferencia de lectura sin caché
Índice de rendimiento de lectura de la RAM
14.4 GB/s
14.4 GB/s
14.5 GB/s
15.5 GB/s
14.7 GB/s
14.5 GB/s
11.9 GB/s
16.4 GB/s
Velocidad de transferencia de escritura
Índice de rendimiento de escritura de la RAM
8.8 GB/s
8.8 GB/s
9.1 GB/s
10.1 GB/s
9.2 GB/s
8.1 GB/s
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Resumen Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6EFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6EFR8C-PB 2GB
VS
con otros RAMs