RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U6AFR8C-S6 4GB - Pruebas y especificaciones

Información básica sobre el rendimiento y los resultados del benchmark del modelo Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U6AFR8C-S6 4GB. Las pruebas reales reflejan el rendimiento del módulo de memoria en relación con los módulos del mismo tipo. Las pruebas de los módulos de memoria DDR3, DDR4 y DDR5 utilizan procesadores Intel y AMD.

  • Otro nombre: Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U6AFR8C-S6
  • Descripción: PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Tipo de memoria RAM: DDR2
  • Media: 914

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Información general

Descripción: Especificaciones de rendimiento del módulo de memoria: Latencia (ns), Lectura sin caché (GB/s), Escritura (GB/s). Información sobre el precio.

Especificaciones de la memoria RAM

Latencia: 50 ns   Read Uncached: 5,168.7 GB/s
Write: 2,212.7 GB/s   Price: NA
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Resumen Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U6AFR8C-S6 4GB
 
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U6AFR8C-S6 4GB
VS
up_down img con otros RAMs