RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB - Pruebas y especificaciones

Información básica sobre el rendimiento y los resultados del benchmark del modelo Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB. Las pruebas reales reflejan el rendimiento del módulo de memoria en relación con los módulos del mismo tipo. Las pruebas de los módulos de memoria DDR3, DDR4 y DDR5 utilizan procesadores Intel y AMD.

  • Otro nombre: Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH
  • Descripción: PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Tipo de memoria RAM: DDR4
  • Media: 2104

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Información general

Descripción: Especificaciones de rendimiento del módulo de memoria: Latencia (ns), Lectura sin caché (GB/s), Escritura (GB/s). Información sobre el precio.

Especificaciones de la memoria RAM

Latencia: 25 ns   Read Uncached: 14.2 GB/s
Write: 7.4 GB/s   Price: NA
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Resumen Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
 
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
VS
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