Información básica sobre el rendimiento y los resultados del benchmark del modelo Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G 2GB. Las pruebas reales reflejan el rendimiento del módulo de memoria en relación con los módulos del mismo tipo. Las pruebas de los módulos de memoria DDR3, DDR4 y DDR5 utilizan procesadores Intel y AMD.
0
comentario
RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G 2GB - Pruebas y especificaciones
- Otro nombre: Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G
- Descripción: PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
- Tipo de memoria RAM: DDR2
- Media: 433
Compre aquí:
AliExpress
Información general
Descripción: Especificaciones de rendimiento del módulo de memoria: Latencia (ns), Lectura sin caché (GB/s), Escritura (GB/s). Información sobre el precio.
Especificaciones de la memoria RAM
| Latencia: | 72 ns | Read Uncached: | 2,733.6 GB/s | |||
| Write: | 703.4 GB/s | Price: | NA | |||
Latencia
Latencia: el tiempo que tarda el módulo de memoria RAM en acceder a un determinado conjunto de datos en una de las columnas y emitir esos datos a sus salidas.
Velocidad de transferencia de lectura sin caché
Índice de rendimiento de lectura de la RAM
5.4 GB/s
5.5 GB/s
4.5 GB/s
4.6 GB/s
4.3 GB/s
Velocidad de transferencia de escritura
Índice de rendimiento de escritura de la RAM
2.6 GB/s
2.5 GB/s
1.9 GB/s
2.1 GB/s
1.9 GB/s
0.0
Desde 0
Hitesti evaluación
Para dejar una reseña es necesario login
Resumen Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G 2GB
VS
con otros RAMs