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RAM ATP Electronics Inc. AQ56M64B8BJH9S 2GB - Pruebas y especificaciones

Información básica sobre el rendimiento y los resultados del benchmark del modelo ATP Electronics Inc. AQ56M64B8BJH9S 2GB. Las pruebas reales reflejan el rendimiento del módulo de memoria en relación con los módulos del mismo tipo. Las pruebas de los módulos de memoria DDR3, DDR4 y DDR5 utilizan procesadores Intel y AMD.

Otro nombre: ATP Electronics Inc. AQ56M64B8BJH9S
Descripción: PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tipo de memoria RAM: DDR3
Media: 1932

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Información general

Descripción: Especificaciones de rendimiento del módulo de memoria: Latencia (ns), Lectura sin caché (GB/s), Escritura (GB/s). Información sobre el precio.

Especificaciones de la memoria RAM

Latencia:		27 ns		Read Uncached:		14.3 GB/s
Write:		8.3 GB/s		Price:		NA

Latencia

Latencia: el tiempo que tarda el módulo de memoria RAM en acceder a un determinado conjunto de datos en una de las columnas y emitir esos datos a sus salidas.

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB DDR3

40 ns

Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB DDR3

39 ns

Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB DDR3

39 ns

Kingston KHX1866C10D3/8G 8GB DDR3

37 ns

Crucial Technology BLS8G3D1609DS1S00. 8GB DDR3

38 ns

G Skill Intl F3-12800CL9-4GBXL 4GB DDR3

38 ns