Grundlegende Informationen über die Leistung und Benchmark-Ergebnisse des Modells Silicon Integrated Systems B52F1LBD3G 1GB. Die aktuellen Tests spiegeln die Leistung des Speichermoduls im Vergleich zu Modulen desselben Typs wider. Die Tests der DDR3, DDR4 und DDR5 Speichermodule verwenden Intel und AMD Prozessoren.
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RAM Silicon Integrated Systems B52F1LBD3G 1GB - Tests und Spezifikationen
- Anderer Name: Silicon Integrated Systems B52F1LBD3G
- Beschreibung: PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
- RAM-Typ: DDR2
- Durchschnittlich: 651
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Allgemeine Informationen
Beschreibung: Leistungsdaten des Speichermoduls: Latenz (ns), Lesen ohne Zwischenspeicher (GB/s), Schreiben (GB/s). Preisinformationen.
RAM-Spezifikationen
| Latenzzeit: | 51 ns | Read Uncached: | 4,257.0 GB/s | |||
| Write: | 1,808.7 GB/s | Price: | NA | |||
Latenzzeit
Latenzzeit - die Zeit, die das RAM-Modul benötigt, um auf einen bestimmten Datensatz in einer der Spalten zuzugreifen und diese Daten an seinen Ausgängen auszugeben.
Read Uncached Übertragungsgeschwindigkeit
RAM-Leseleistungsindex
5.4 GB/s
5.5 GB/s
4.5 GB/s
4.6 GB/s
4.3 GB/s
Schreib-Übertragungsgeschwindigkeit
RAM-Schreib-Leistungsindex
2.6 GB/s
2.5 GB/s
1.9 GB/s
2.1 GB/s
1.9 GB/s
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Übersicht Silicon Integrated Systems B52F1LBD3G 1GB
Silicon Integrated Systems B52F1LBD3G 1GB
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