Grundlegende Informationen über die Leistung und Benchmark-Ergebnisse des Modells Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB16008Chips 4GB. Die aktuellen Tests spiegeln die Leistung des Speichermoduls im Vergleich zu Modulen desselben Typs wider. Die Tests der DDR3, DDR4 und DDR5 Speichermodule verwenden Intel und AMD Prozessoren.
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RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB16008Chips 4GB - Tests und Spezifikationen
- Anderer Name: Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB16008Chips
- Beschreibung: PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
- RAM-Typ: DDR3
- Durchschnittlich: 2508
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Allgemeine Informationen
Beschreibung: Leistungsdaten des Speichermoduls: Latenz (ns), Lesen ohne Zwischenspeicher (GB/s), Schreiben (GB/s). Preisinformationen.
RAM-Spezifikationen
| Latenzzeit: | 24 ns | Read Uncached: | 16.6 GB/s | |||
| Write: | 10.4 GB/s | Price: | NA | |||
Latenzzeit
Latenzzeit - die Zeit, die das RAM-Modul benötigt, um auf einen bestimmten Datensatz in einer der Spalten zuzugreifen und diese Daten an seinen Ausgängen auszugeben.
Read Uncached Übertragungsgeschwindigkeit
RAM-Leseleistungsindex
14.4 GB/s
14.4 GB/s
14.5 GB/s
15.5 GB/s
14.7 GB/s
14.5 GB/s
11.9 GB/s
16.4 GB/s
Schreib-Übertragungsgeschwindigkeit
RAM-Schreib-Leistungsindex
8.8 GB/s
8.8 GB/s
9.1 GB/s
10.1 GB/s
9.2 GB/s
8.1 GB/s
11.4 GB/s
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Übersicht Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB16008Chips 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB16008Chips 4GB
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