Grundlegende Informationen über die Leistung und Benchmark-Ergebnisse des Modells Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112F. Die aktuellen Tests spiegeln die Leistung des Speichermoduls im Vergleich zu Modulen desselben Typs wider. Die Tests der DDR3, DDR4 und DDR5 Speichermodule verwenden Intel und AMD Prozessoren.
0
Kommentar
RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112F - Tests und Spezifikationen
- Anderer Name: Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112F72CP8D3-Y5
- Beschreibung: PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
- RAM-Typ: DDR2
- Durchschnittlich: 618
Kaufen Sie hier:
AliExpress
Allgemeine Informationen
Beschreibung: Leistungsdaten des Speichermoduls: Latenz (ns), Lesen ohne Zwischenspeicher (GB/s), Schreiben (GB/s). Preisinformationen.
RAM-Spezifikationen
| Latenzzeit: | 102 ns | Read Uncached: | 2,937.8 GB/s | |||
| Write: | 1,921.8 GB/s | Price: | NA | |||
Latenzzeit
Latenzzeit - die Zeit, die das RAM-Modul benötigt, um auf einen bestimmten Datensatz in einer der Spalten zuzugreifen und diese Daten an seinen Ausgängen auszugeben.
Read Uncached Übertragungsgeschwindigkeit
RAM-Leseleistungsindex
5.4 GB/s
5.5 GB/s
4.5 GB/s
4.6 GB/s
4.3 GB/s
Schreib-Übertragungsgeschwindigkeit
RAM-Schreib-Leistungsindex
2.6 GB/s
2.5 GB/s
1.9 GB/s
2.1 GB/s
1.9 GB/s
0.0
Von 0
Hitesti Bewertung
Um eine Bewertung abzugeben, müssen sie login
Übersicht Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112F
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112F
VS
mit anderen Widder