RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-RD 4GB - Tests und Spezifikationen

Grundlegende Informationen über die Leistung und Benchmark-Ergebnisse des Modells Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-RD 4GB. Die aktuellen Tests spiegeln die Leistung des Speichermoduls im Vergleich zu Modulen desselben Typs wider. Die Tests der DDR3, DDR4 und DDR5 Speichermodule verwenden Intel und AMD Prozessoren.

  • Anderer Name: Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-RD
  • Beschreibung: PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
  • RAM-Typ: DDR3
  • Durchschnittlich: 2348

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Allgemeine Informationen

Beschreibung: Leistungsdaten des Speichermoduls: Latenz (ns), Lesen ohne Zwischenspeicher (GB/s), Schreiben (GB/s). Preisinformationen.

RAM-Spezifikationen

Latenzzeit: 25 ns   Read Uncached: 14.7 GB/s
Write: 10.1 GB/s   Price: NA
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Übersicht Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-RD 4GB
 
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-RD 4GB
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