RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB - Tests und Spezifikationen

Grundlegende Informationen über die Leistung und Benchmark-Ergebnisse des Modells Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB. Die aktuellen Tests spiegeln die Leistung des Speichermoduls im Vergleich zu Modulen desselben Typs wider. Die Tests der DDR3, DDR4 und DDR5 Speichermodule verwenden Intel und AMD Prozessoren.

  • Anderer Name: Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9
  • Beschreibung: PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
  • RAM-Typ: DDR3
  • Durchschnittlich: 2186

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Allgemeine Informationen

Beschreibung: Leistungsdaten des Speichermoduls: Latenz (ns), Lesen ohne Zwischenspeicher (GB/s), Schreiben (GB/s). Preisinformationen.

RAM-Spezifikationen

Latenzzeit: 26 ns   Read Uncached: 12.8 GB/s
Write: 8.3 GB/s   Price: NA
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Übersicht Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
 
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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