Grundlegende Informationen über die Leistung und Benchmark-Ergebnisse des Modells Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U7TFR8C-H9 1GB. Die aktuellen Tests spiegeln die Leistung des Speichermoduls im Vergleich zu Modulen desselben Typs wider. Die Tests der DDR3, DDR4 und DDR5 Speichermodule verwenden Intel und AMD Prozessoren.
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RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U7TFR8C-H9 1GB - Tests und Spezifikationen
- Anderer Name: Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U7TFR8C-H9
- Beschreibung: PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
- RAM-Typ: DDR3
- Durchschnittlich: 1017
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Allgemeine Informationen
Beschreibung: Leistungsdaten des Speichermoduls: Latenz (ns), Lesen ohne Zwischenspeicher (GB/s), Schreiben (GB/s). Preisinformationen.
RAM-Spezifikationen
| Latenzzeit: | 72 ns | Read Uncached: | 6.2 GB/s | |||
| Write: | 4.4 GB/s | Price: | NA | |||
Latenzzeit
Latenzzeit - die Zeit, die das RAM-Modul benötigt, um auf einen bestimmten Datensatz in einer der Spalten zuzugreifen und diese Daten an seinen Ausgängen auszugeben.
Read Uncached Übertragungsgeschwindigkeit
RAM-Leseleistungsindex
14.4 GB/s
14.4 GB/s
14.5 GB/s
15.5 GB/s
14.7 GB/s
14.5 GB/s
11.9 GB/s
16.4 GB/s
Schreib-Übertragungsgeschwindigkeit
RAM-Schreib-Leistungsindex
8.8 GB/s
8.8 GB/s
9.1 GB/s
10.1 GB/s
9.2 GB/s
8.1 GB/s
11.4 GB/s
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Übersicht Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U7TFR8C-H9 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U7TFR8C-H9 1GB
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