Grundlegende Informationen über die Leistung und Benchmark-Ergebnisse des Modells Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DMP112U6EFR6C-S6DD 1GB. Die aktuellen Tests spiegeln die Leistung des Speichermoduls im Vergleich zu Modulen desselben Typs wider. Die Tests der DDR3, DDR4 und DDR5 Speichermodule verwenden Intel und AMD Prozessoren.
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RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DMP112U6EFR6C-S6DD 1GB - Tests und Spezifikationen
- Anderer Name: Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DMP112U6EFR6C-S6DD
- Beschreibung: PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
- RAM-Typ: DDR2
- Durchschnittlich: 438
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Allgemeine Informationen
Beschreibung: Leistungsdaten des Speichermoduls: Latenz (ns), Lesen ohne Zwischenspeicher (GB/s), Schreiben (GB/s). Preisinformationen.
RAM-Spezifikationen
| Latenzzeit: | 57 ns | Read Uncached: | 4,189.6 GB/s | |||
| Write: | 1,705.6 GB/s | Price: | NA | |||
Latenzzeit
Latenzzeit - die Zeit, die das RAM-Modul benötigt, um auf einen bestimmten Datensatz in einer der Spalten zuzugreifen und diese Daten an seinen Ausgängen auszugeben.
Read Uncached Übertragungsgeschwindigkeit
RAM-Leseleistungsindex
5.4 GB/s
5.5 GB/s
4.5 GB/s
4.6 GB/s
4.3 GB/s
Schreib-Übertragungsgeschwindigkeit
RAM-Schreib-Leistungsindex
2.6 GB/s
2.5 GB/s
1.9 GB/s
2.1 GB/s
1.9 GB/s
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Übersicht Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DMP112U6EFR6C-S6DD 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DMP112U6EFR6C-S6DD 1GB
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