RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DMP112U6EFR6C-S6DD 1GB - Tests und Spezifikationen

Grundlegende Informationen über die Leistung und Benchmark-Ergebnisse des Modells Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DMP112U6EFR6C-S6DD 1GB. Die aktuellen Tests spiegeln die Leistung des Speichermoduls im Vergleich zu Modulen desselben Typs wider. Die Tests der DDR3, DDR4 und DDR5 Speichermodule verwenden Intel und AMD Prozessoren.

  • Anderer Name: Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DMP112U6EFR6C-S6DD
  • Beschreibung: PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • RAM-Typ: DDR2
  • Durchschnittlich: 438

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Allgemeine Informationen

Beschreibung: Leistungsdaten des Speichermoduls: Latenz (ns), Lesen ohne Zwischenspeicher (GB/s), Schreiben (GB/s). Preisinformationen.

RAM-Spezifikationen

Latenzzeit: 57 ns   Read Uncached: 4,189.6 GB/s
Write: 1,705.6 GB/s   Price: NA
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Übersicht Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DMP112U6EFR6C-S6DD 1GB
 
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DMP112U6EFR6C-S6DD 1GB
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