Grundlegende Informationen über die Leistung und Benchmark-Ergebnisse des Modells ATP Electronics Inc. AL12M72E4BJH9S 4GB. Die aktuellen Tests spiegeln die Leistung des Speichermoduls im Vergleich zu Modulen desselben Typs wider. Die Tests der DDR3, DDR4 und DDR5 Speichermodule verwenden Intel und AMD Prozessoren.
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RAM ATP Electronics Inc. AL12M72E4BJH9S 4GB - Tests und Spezifikationen
- Anderer Name: ATP Electronics Inc. AL12M72E4BJH9S
- Beschreibung: PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
- RAM-Typ: DDR3
- Durchschnittlich: 2472
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Allgemeine Informationen
Beschreibung: Leistungsdaten des Speichermoduls: Latenz (ns), Lesen ohne Zwischenspeicher (GB/s), Schreiben (GB/s). Preisinformationen.
RAM-Spezifikationen
| Latenzzeit: | 27 ns | Read Uncached: | 12.2 GB/s | |||
| Write: | 9.1 GB/s | Price: | NA | |||
Latenzzeit
Latenzzeit - die Zeit, die das RAM-Modul benötigt, um auf einen bestimmten Datensatz in einer der Spalten zuzugreifen und diese Daten an seinen Ausgängen auszugeben.
Read Uncached Übertragungsgeschwindigkeit
RAM-Leseleistungsindex
14.4 GB/s
14.4 GB/s
14.5 GB/s
15.5 GB/s
14.7 GB/s
14.5 GB/s
11.9 GB/s
16.4 GB/s
Schreib-Übertragungsgeschwindigkeit
RAM-Schreib-Leistungsindex
8.8 GB/s
8.8 GB/s
9.1 GB/s
10.1 GB/s
9.2 GB/s
8.1 GB/s
11.4 GB/s
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Übersicht ATP Electronics Inc. AL12M72E4BJH9S 4GB
ATP Electronics Inc. AL12M72E4BJH9S 4GB
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