Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB
VS
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB
VS
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Welche Sie auswählen

Es ist an der Zeit, einen Gewinner zu küren. Was ist der Unterschied zwischen Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB und Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB? Welcher Speicher ist schneller? Die Bestimmung ist ganz einfach - schauen Sie sich die Vergleichstabelle an. Der Speicher mit der geringeren Latenz und der höheren Lese-/Schreibgeschwindigkeit ist der Gewinner.

Basis-Spezifikationen

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Specs
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
DDR2
type
DDR2
462
average
607
66
latency
65
3,234.7 GB/s
read time
3,858.9 GB/s
1,433.1 GB/s
write time
1,574.4 GB/s
NA
price
NA